三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的领先地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，计划 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。

每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。

此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制还意味着晶体管产生的热量更少，从而提高了功率效率。

 此前报道，三星还计划在 1.4nm 工艺中采用背部供电（BSPDN）技术，旨在更好地挖掘晶圆背面空间的潜力，但至今仍未在全球范围内实施。

虽然目前半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技术节点进行系统命名，但毫无疑问目前的工艺技术也是数字越小越先进。

随着半导体工艺微缩路线不断地向前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不断缩窄，从而对彼此产生干扰，而 BSPDN 技术则可以克服这一限制，这是因为我们可以利用晶圆背面来构建供电路线，以分隔电路和电源空间。